专利名称：成膜方法专利类型：发明专利发明人：长谷川敏夫
申请号：CN200580001444.6申请日：20050114公开号：CN1906736A公开日：20070131
摘要：本发明提供一种成膜方法，重复进行1次以上由向在处理容器内被加热到成膜温度的半导体晶片供给TiCl气体和NH气体、通过CVD形成由TiN构成的膜的第一步骤、和停止供给TiCl气体、供给NH气体的第二步骤构成的循环，在半导体晶片上形成规定厚度的TiN膜，成膜时的半导体晶片的温度低于450℃，处理容器内的总压力高于100Pa，第一步骤中的处理容器内的NH气体的分压为30Pa以下。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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