具有部分冗余通孔的集成电路制作方法及集成电路[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：具有部分冗余通孔的集成电路制作方法及集成电路专利类型：发明专利

发明人：李磊,胡友存,姬峰,张亮,陈玉文申请号：CN201110386112.1申请日：20111128公开号：CN102437103A公开日：20120502

摘要：本发明提出一种铜互连冗余通孔填充及双大马士革制造工艺，采用埋层冗余通孔介电刻蚀阻挡层工艺制作含有部分刻蚀冗余通孔的双大马士革结构，在部分传统制造工艺无法填充冗余通孔的区域添加冗余通孔，特别是可以在以前很多无法填充冗余通孔的孤立通孔周围添加冗余通孔，提高了光刻和刻蚀通孔的密度及密度均匀性，进而能够改善通孔光刻和刻蚀的均匀性，增加通孔光刻和刻蚀工艺窗口。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

国籍：CN

代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司

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