晶圆级封装结构的制造方法[发明专利]

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专利名称：晶圆级封装结构的制造方法专利类型：发明专利发明人：高国华,郭飞

申请号：CN201510261020.9申请日：20150520公开号：CN104952744A公开日：20150930

摘要：本发明涉及一种晶圆级封装结构的制造方法，包括：在半导体芯片上表面形成绝缘层，绝缘层具有开口部，使半导体芯片的导电金属垫露出；在所述绝缘层上形成沟壑，所述沟壑连通所述开口部；在所述开口部以及所述沟壑中，形成再布线层，所述再布线层连通所述导电金属垫。相比与现有技术，将再布线设置在绝缘层的沟壑内，有效防止封装器件的再布线层(RDL)之间形成的电迁移路径，避免了短路等异常，从而减少器件失效的发生。

申请人：南通富士通微电子股份有限公司

地址：226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号

国籍：CN

代理机构：北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)

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