一种碳化硅表面氧化膜的制备方法[发明专利]

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专利名称：一种碳化硅表面氧化膜的制备方法专利类型：发明专利

发明人：郑柳,杨霏,王方方,李玲,李永平,刘瑞,吴昊,钮应喜,张

文婷,王嘉铭,桑玲

申请号：CN201510685847.2申请日：20151021公开号：CN106611700A公开日：20170503

摘要：本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。

申请人：国网智能电网研究院,国家电网公司,国网安徽省电力公司

地址：102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)

国籍：CN

代理机构：北京安博达知识产权代理有限公司

代理人：徐国文

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